SQ2315ES-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SQ2315ES-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -12В
Струм стока -5А
Потужність розсіювання 0,67Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 75мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -20А
Використання автомобільна галузь
Заряд затвора 13нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat