SPD18P06PGBTMA1 - Транзистори з каналом P SMD

SPD18P06PGBTMA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -18,6А
Потужність розсіювання 80Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,13Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія SIPMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat