SPB17N80C3 - Транзистори з каналом N SMD

SPB17N80C3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 17А
Потужність розсіювання 227Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,29Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat