SP8K32HZGTB - Транзистори багатоканальні

SP8K32HZGTB
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 4,5А
Струм стоку в імпульсі 18А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SOP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 77мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 7нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat