SKM50GD125D - Модулі IGBT

SKM50GD125D
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM50GD125D 21918010
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія 3-фазний міст IGBT
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 50А
Корпус SEMITRANS6
Модель D67
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж конектори FASTON
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 100А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat