SKM200GB125D - Модулі IGBT

SKM200GB125D
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM200GB125D
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія півмісток IGBT
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 160А
Корпус SEMITRANS3
Модель D56
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 300А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat