SKM200GAL17E4 - Модулі IGBT

SKM200GAL17E4
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM200GAL17E4 22895110
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Структура напівпровідника діод/транзистор
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Механічний монтаж пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора 248А
Струм колектора в імпульсі 1170А
Зворотна напруга макс. 1,7кВ
Топологія boost chopper
Корпус SEMITRANS3
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat