SKM200GAL12E4 - Модулі IGBT

SKM200GAL12E4
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM200GAL12E4 22892304
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника діод/транзистор
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 200А
Корпус SEMITRANS3
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 600А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Топологія boost chopper
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat