SKM150GAL12T4 - Модулі IGBT

SKM150GAL12T4
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM150GAL12T4 22892300
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Топологія boost chopper
Корпус SEMITRANS2
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Структура напівпровідника діод/транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Струм колектора 179А
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 450А
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat