SKM100GB125DN - Модулі IGBT

SKM100GB125DN
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKM100GB125DN
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія півмісток IGBT
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 80А
Корпус SEMITRANS2N
Модель D93
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 150А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat