SKIIP12HEB066V1 - Модулі IGBT

SKIIP12HEB066V1
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKIIP 12HEB066V1 25230840
Опис

Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 600В

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника діод/тиристор/IGBT
Топологія 1-фазний діодно-тиристорний міст
3-фазний міст IGBT
boost chopper
Зворотна напруга макс. 0,6кВ
Струм колектора 15А
Корпус MiniSKiiP® 1
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-Fit
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 40А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat