SK50GD12T4T - Модулі IGBT

SK50GD12T4T
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SK 50 GD 12T4 T 24914940
Опис

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія 3-фазний міст IGBT
термістор
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 60А
Корпус SEMITOP4
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-in PCB
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 150А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat