SK30DGDL066ET - Модулі IGBT

SK30DGDL066ET
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SK 30 DGDL 066 ET 24912650
Опис

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника діод/транзистор
Топологія 3-фазни діодний міст
3-фазний міст IGBT вихід OE
boost chopper
термістор NTC
Зворотна напруга макс. 0,6кВ
Струм колектора 30А
Потужність 4кВт
Корпус SEMITOP3
Використання двигуни
інвертор
Електричний монтаж Press-in PCB
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 60А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat