SISS23DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SISS23DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -50А; Idm: -200А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -50А
Струм стоку в імпульсі -200А
Потужність розсіювання 36Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 4,5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 300нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat