SISH625DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SISH625DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -35А
Струм стоку в імпульсі -80А
Потужність розсіювання 33Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 126нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat