SISA35DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SISA35DN-T1-GE3
Опис

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -16А
Струм стоку в імпульсі -50А
Потужність розсіювання 15Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 30мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 42нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat