SIS406DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIS406DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 12,2А
Потужність розсіювання 2,3Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 14,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 28нКл
Струм стоку в імпульсі 50А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat