SIRA90DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRA90DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 66,6Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело -16...20В
Опір в стані провідності 1,15мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 400А
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 153нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat