SIRA18ADP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRA18ADP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 24,5А
Потужність розсіювання 9,4Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Опір в стані провідності 13,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело -16...20В
Заряд затвора 21,5нКл
Струм стоку в імпульсі 70А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat