SIRA10DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIRA10DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 60А
Струм стоку в імпульсі 140А
Потужність розсіювання 26Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело -16...20В
Опір в стані провідності 5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 51нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat