SIR622DP-T1-RE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIR622DP-T1-RE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 150В
Струм стока 51,6А
Струм стоку в імпульсі 100А
Потужність розсіювання 104Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 20,4мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 41нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat