SIR622DP-T1-RE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIR622DP-T1-RE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

Характеристики
Виробник VISHAY
Монтаж SMD
Корпус PowerPAK® SO8
Поляризація польовий
Заряд затвора 41нКл
Опір в стані провідності 20,4мОм
Потужність розсіювання 104Вт
Струм стока 51,6А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 150В
Струм стоку в імпульсі 100А
Вид упаковки cтрічка
ролик
Технологія TrenchFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat