SIHP100N60E-GE3 - Транзистори з каналом N THT

SIHP100N60E-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 19А
Струм стоку в імпульсі 73А
Потужність розсіювання 208Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,1Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 50нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat