SIHF644S-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIHF644S-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 8,5А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,28Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 68нКл
Струм стоку в імпульсі 56А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat