SIA483DJ-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SIA483DJ-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -12А
Потужність розсіювання 12Вт
Корпус PowerPAK® SC70
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 21мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -40А
Заряд затвора 45нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat