SIA440DJ-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SIA440DJ-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус PowerPAK® SC70
Технологія TrenchFET®
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 21,5нКл
Опір в стані провідності 26мОм
Струм стока 12А
Потужність розсіювання 12Вт
Напруга затвор-джерело ±12В
Напруга сток-джерело 40В
Струм стоку в імпульсі 50А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat