SI7938DP-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI7938DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET x2
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 60А
Струм стоку в імпульсі 80А
Потужність розсіювання 46Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 7мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 65нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat