SI7938DP-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI7938DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

Характеристики
Виробник VISHAY
Монтаж SMD
Тип транзистора N-MOSFET x2
Технологія TrenchFET®
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стоку в імпульсі 80А
Струм стока 60А
Заряд затвора 65нКл
Опір в стані провідності 7мОм
Потужність розсіювання 46Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус PowerPAK® SO8
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat