SI7850DP-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI7850DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6,2А; Idm: 40А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 6,2А
Струм стоку в імпульсі 40А
Потужність розсіювання 0,9Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 22мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 27нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat