SI7655ADN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI7655ADN-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -40А; Idm: -100А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -40А
Потужність розсіювання 36Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 3,6мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 225нКл
Технологія TrenchFET®
Струм стоку в імпульсі -100А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat