SI7288DP-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI7288DP-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 20А; Idm: 50А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 20А
Струм стоку в імпульсі 50А
Потужність розсіювання 15,6Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 22мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 15нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat