SI7153DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI7153DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -18А
Потужність розсіювання 52Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 15мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 62нКл
Технологія TrenchFET®
Струм стоку в імпульсі -100А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat