SI7149ADP-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI7149ADP-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; 31Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -50А
Потужність розсіювання 31Вт
Корпус PowerPAK® SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 9,5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 43,1нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat