SI7115DN-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI7115DN-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -8,9А; Idm: -15А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -150В
Струм стока -8,9А
Потужність розсіювання 33Вт
Корпус PowerPAK® 1212-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,295Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -15А
Заряд затвора 42нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat