Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 9,9А; Idm: 50А
| Виробник |
VISHAY |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
40В |
| Струм стока |
9,9А |
| Потужність розсіювання |
3,8Вт |
| Корпус |
SO8 |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Опір в стані провідності |
12мОм |
| Монтаж |
SMD |
| Вид упаковки |
cтрічка ролик |
| Вид каналу |
збагачений |
| Заряд затвора |
50нКл |
| Струм стоку в імпульсі |
50А |
| Технологія |
TrenchFET® |