SI4686DY-T1-E3 - Транзистори з каналом N SMD

SI4686DY-T1-E3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 14,5А; Idm: 50А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 14,5А
Потужність розсіювання 5,2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 14мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Струм стоку в імпульсі 50А
Заряд затвора 26нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat