SI4497DY-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI4497DY-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -29А; 5Вт; SO8

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -29А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 90нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat