SI4483ADY-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI4483ADY-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -15,4А; 3,8Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -15,4А
Потужність розсіювання 3,8Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 8,8мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 44,8нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat