SI3473CDV-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI3473CDV-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -12В
Струм стока -8А
Струм стоку в імпульсі -20А
Потужність розсіювання 4,2Вт
Корпус SC74
TSOP6
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 36мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 65нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat