Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
| Виробник |
VISHAY |
| Тип транзистора |
P-MOSFET |
| Поляризація |
польовий |
| Напруга сток-джерело |
-60В |
| Струм стока |
-2,9А |
| Струм стоку в імпульсі |
-8А |
| Потужність розсіювання |
3,3Вт |
| Корпус |
TSOP6 |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Опір в стані провідності |
288мОм |
| Монтаж |
SMD |
| Заряд затвора |
12нКл |
| Вид упаковки |
cтрічка ролик |
| Вид каналу |
збагачений |
| Технологія |
TrenchFET® |