SI2393DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI2393DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -7,5А
Струм стоку в імпульсі -50А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SOT23
Опір в стані провідності 33мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 25,2нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat