SI2347DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI2347DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -5А
Потужність розсіювання 1,1Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 42мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -20А
Заряд затвора 22нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat