SI2342DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2342DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело
Струм стока
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±5В
Опір в стані провідності 17мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 30А
Заряд затвора 15,8нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat