SI2338DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2338DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 25А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 28мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 13нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat