SI2328DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2328DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,92А; Idm: 6А; 1,25Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 0,92А
Струм стоку в імпульсі
Потужність розсіювання 1,25Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,25Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat