Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
| Виробник |
VISHAY |
| Монтаж |
SMD |
| Корпус |
SOT23 |
| Опір в стані провідності |
0,13Ом |
| Потужність розсіювання |
0,8Вт |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Вид упаковки |
cтрічка ролик |
| Тип транзистора |
P-MOSFET |
| Технологія |
TrenchFET® |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Струм стоку в імпульсі |
-12А |
| Струм стока |
-2,4А |
| Напруга сток-джерело |
-40В |
| Заряд затвора |
17нКл |