SI2318CDS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2318CDS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 4,5А
Потужність розсіювання 1,3Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 35мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 5,8нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat