SI2308CDS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2308CDS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Корпус SOT23
Вид упаковки cтрічка
ролик
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 4нКл
Опір в стані провідності 144мОм
Потужність розсіювання 1Вт
Струм стока 2,6А
Струм стоку в імпульсі
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 60В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat