SI2307CDS-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI2307CDS-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -2,2А
Потужність розсіювання 1,8Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 138мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 6,2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat