SI1553CDL-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI1553CDL-T1-GE3
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 0,7/-0,5А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N/P-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20/-20В
Струм стока 0,7/-0,5А
Потужність розсіювання 0,34Вт
Корпус SC70-6
SOT363
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 1,35/1,13Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 3/1,8нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat