SI1012CR-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI1012CR-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 0,63А
Струм стоку в імпульсі
Потужність розсіювання 0,15Вт
Корпус SC75A
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 396мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 2нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat