SEMIX71GD12E4S - Модулі IGBT

SEMIX71GD12E4S
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SEMIX71GD12E4S 27890190
Опис

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Топологія 3-фазний міст IGBT
термістор
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 75А
Корпус SEMIX®13
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-Fit
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 225А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat